1550nm 2GHz 4mw CWDM InGaAsP MQW DFB Deuod Laser Ffibr

Y band 1550nm InGaAsP MQW DFBDeuod laseryn chwarae rhan bwysig mewn cyfathrebu ffibr optegol a thechnoleg synhwyro oherwydd ei berfformiad uwch. Mae ei arloesi technolegol ac ehangu cymhwysiad yn parhau i hyrwyddo cynnydd y maes optoelectroneg.

Nodweddion:
Strwythur ffynnon cwantwm: Gan ddefnyddio technoleg ffynnon cwantwm lluosog (MQW), mae effeithlonrwydd a sefydlogrwydd allyriadau golau yn cael eu gwella trwy bentyrru haenau lluosog o ddotiau cwantwm.
Mecanwaith adborth wedi'i ddosbarthu: Mae laserau adborth wedi'u dosbarthu (DFB) yn gallu darparu allbwn tonfedd sefydlog, sy'n hanfodol i gynnal ansawdd signal mewn systemau cyfathrebu optegol.
Pecynnu cryno: Defnyddir technoleg weldio laser uwch i gyflawni pecynnu pigtail glöyn byw, gan wneud y laser yn gryno ac yn fach o ran maint, gan ei gwneud hi'n hawdd ei integreiddio i wahanol ddyfeisiau optoelectroneg.
Allbwn pŵer uchel: Gall rhai laserau DFB 1550nm gyrraedd pŵer allbwn o 138 mW mewn modd gweithredu parhaus ar dymheredd ystafell, gan ddangos nodweddion allbwn modd traws sylfaenol da.
Pecynnu aer-dynn: Gall pecynnu aer-dynn amddiffyn y laser rhag yr amgylchedd allanol a gwella ei ddibynadwyedd a'i sefydlogrwydd.
Rheoli tymheredd manwl uchel: Gall yr oergell lled-ddargludyddion adeiledig gyflawni rheolaeth tymheredd manwl uchel i sicrhau pŵer sefydlog a thonfedd y laser.

Mae'r prif geisiadau yn cynnwys:
Cyfathrebu ffibr optegol: Fel y ffynhonnell golau allweddol yn y system gyfathrebu ffibr optegol, fe'i defnyddir i drosglwyddo signalau data.
Synwyryddion ffibr optig: Ym maes synwyryddion ffibr optig, gellir eu defnyddio fel ffynhonnell golau delfrydol oherwydd eu linewidth cul a sefydlogrwydd uchel.
Offeryn ysgafn: Fe'i defnyddir mewn offerynnau optegol fel adlewyrchyddion parth amser optegol (OTDR) i ddarparu ffynonellau golau prawf cywir.

Mae'r band 1550nm yn chwarae rhan hynod bwysig ym maes cyfathrebu optegol:
Ffenestr colled lleiaf: Mae'r band 1550nm yn aml yn cael ei alw'n ffenestr colled lleiaf neu ffenestr colled sero o ffibr optegol. Ar y donfedd hon, gwanhad ffibr cwarts yw'r lleiaf, tua Llai na neu'n hafal i 0.3dB/km. Mae hyn yn gwneud 1550nm yn ddelfrydol ar gyfer trosglwyddo pellter hir ac effeithlonrwydd uchel, gan y gall drosglwyddo dros bellteroedd mwy heb fod angen mwyhau signal yn aml.
Rôl systemau cyfathrebu optegol: Mewn systemau cyfathrebu optegol presennol ac yn y dyfodol, mae'r band 1550nm yn chwarae rhan graidd. O'i gymharu â'r band 1310nm, nid yn unig y mae gan 1550nm golled isel, ond mae ganddo hefyd fanteision penodol o ran rheoli gwasgariad. Yn ogystal, fe'i defnyddir yn eang hefyd mewn rhwydweithiau ardal fetropolitan, systemau cebl optegol pellter hir, pellter hir a thanfor. Yn enwedig mewn technoleg amlblecsio rhaniad tonfedd (WDM), mae band C (1530nm ~ 1565nm) yn dangos y golled isaf yn y diwydiant. Un o'r dewisiadau prif ffrwd.
Cymhariaeth â bandiau eraill: O gymharu â'r bandiau 85{0nm a 1310nm, mae'r golled ffibr yn y band 1550nm yn is. Mae'r golled o 850nm mor uchel â 2.5dB/km, tra bod y golled o 1310nm tua 0.4dB/km. Felly, mewn cymwysiadau sydd angen trosglwyddiad pellter hir, mae'r band 1550nm yn fwy poblogaidd. Ar yr un pryd, mae diogelwch llygad dynol y band 1550nm hefyd yn ei gwneud yn cael ei ddefnyddio'n helaeth mewn radar, synwyryddion, cyfathrebu, biofeddygol a meysydd eraill.

Mae'r band 1550nm wedi dod yn fand hanfodol yn y diwydiant optoelectroneg oherwydd ei nodweddion colled isel mewn trawsyrru ffibr optegol a'i botensial cymhwyso mewn amrywiaeth o systemau cyfathrebu optegol. Wrth i dechnoleg barhau i ddatblygu, bydd pwysigrwydd y band hwn yn cael ei gryfhau ymhellach yn y dyfodol.

Mae'r deuod laser lled band 2GHz 4mW pŵer CWDM InGaAsP MQW DFB yn y band 1550nm yn cael ei ddefnyddio'n helaeth mewn cyfathrebu ffibr optig a systemau synhwyro ffibr optig.

Cais:
Cyfathrebu ffibr optig: Gan fod ei donfedd wedi'i leoli yn y ffenestr golled isaf o drosglwyddiad ffibr optig, gellir defnyddio'r deuod laser hwn ar gyfer trosglwyddo data pellter hir ac effeithlon. Mae eu cymhwysiad yn arbennig o amlwg mewn rhwydweithiau ardal fetropolitan, systemau cebl optegol pellter hir a thanfor, yn enwedig mewn technoleg amlblecsio rhannu tonfedd (WDM), a all ddarparu galluoedd cyfathrebu lled band uchel.
System synhwyro ffibr optig: Ym maes synwyryddion ffibr optig, gellir defnyddio'r deuod laser band 1550nm fel ffynhonnell golau delfrydol oherwydd ei linewidth cul a sefydlogrwydd uchel. Mae'r laserau hyn hefyd wedi dangos perfformiad rhagorol mewn amrediad laser a ffynonellau golau hadau.
Profi rhwydwaith optegol: Gellir defnyddio'r math hwn o ddeuod laser hefyd ar gyfer profi systemau CWDM a DWDM i sicrhau perfformiad a chydnawsedd cydrannau rhwydwaith optegol. Mae eu pŵer allbwn uchel a'u harwahanydd optegol adeiledig yn darparu ffynhonnell golau prawf manwl gywir sy'n helpu i gynnal a gwneud y gorau o berfformiad rhwydweithiau optegol.
Rhwydweithiau cyfathrebu optegol cyflym: Er nad yw cymhwysiad lled band modiwleiddio uniongyrchol 2GHz wedi cael ei adrodd yn eang ar hyn o bryd, yn ddamcaniaethol mae gan deuodau laser InGaAsP MQW DFB alluoedd modiwleiddio hyd at 40GHz, sy'n golygu bod ganddynt botensial cymhwysiad uchel mewn optegol cyflym yn y dyfodol. rhwydweithiau cyfathrebu.
Integreiddio ffotonig a chyfrifiadura optegol: Mae nodweddion y laserau hyn, yn enwedig y nodweddion cyflymder uchel, yn rhoi rhagolygon cymhwyso pwysig iddynt ym meysydd integreiddio ffotonig a chyfrifiadura optegol. Yn y meysydd hyn, gall laserau allbwn signalau optegol a thrydanol ar yr un pryd, gan ddarparu amrywiaeth o swyddogaethau a phosibiliadau cymhwyso.
Ymchwil a datblygu laserau lled-ddargludyddion: Mae ymchwil a datblygu wafferi epitaxial laser a laserau yn y band 1550nm hefyd yn faes cymhwysiad pwysig. Er enghraifft, gall wafferi epitaxial laser seiliedig ar InP gwmpasu pob tonfedd o gyfathrebu ffibr optegol, a gall deunyddiau AlGaInAs fel ffynhonnau cwantwm gyflawni allbwn pŵer uchel a lled band uchel.
Laser lled-ddargludyddion modd traws: Mae ymchwil ar baratoi laser lled-ddargludyddion modd traws-ddelw 1550nm AlGaInAs/InP-pŵer uchel hefyd yn gyfeiriad cymhwyso pwysig. Mae'r laserau hyn yn arddangos effeithlonrwydd llethr da a phŵer allbwn mewn modd gweithredu parhaus ar dymheredd ystafell, gan ddangos eu potensial ar gyfer cymwysiadau ymarferol.

Mae gan ddeuod laser 1550nm 2GHz 4mw CWDM InGaAsP MQW DFB ragolygon cymhwysiad eang ym meysydd cyfathrebu ffibr optig, synhwyro ffibr optig, profi rhwydwaith optegol, ac ati, a gyda datblygiad technoleg, ei gymhwysiad mewn rhwydweithiau cyfathrebu optegol cyflym, ffotonig integreiddio a chyfrifiadura optegol a meysydd eraill Bydd hefyd yn parhau i ehangu.

Mae deuod laser 1550nm 2GHz 4mw CWDM InGaAsP MQW DFB yn chwarae rhan hanfodol mewn cyfathrebu ffibr optig. Gyda'i donfedd yn y ffenestr golled isaf, gallu modiwleiddio lled band uchel ac allbwn pŵer sefydlog, mae'n gwneud y gorau o drosglwyddo data pellter hir a chyflymder uchel. Mae'n elfen ffynhonnell golau anhepgor mewn rhwydweithiau cyfathrebu modern.

Gwybodaeth Cyswllt:

Os oes gennych unrhyw syniadau, mae croeso i chi siarad â ni. Ni waeth ble mae ein cwsmeriaid a beth yw ein gofynion, byddwn yn dilyn ein nod i ddarparu ein cwsmeriaid gyda safon uchel, prisiau isel, a'r gwasanaeth gorau.